فرمت فایل: ورد - Word  

کتاب سبز - قابل ویرایش ) 

تعداد صفحه : 8
«تكنولوژي (ساخت) Super Flash EEPROM» معرفي: اين مقاله تكنولوژي ذخيره سازي سيليكوني را توضيح مي دهد. در اين محصول سلول حافظه گيت و بازيابي تونل به روش ميداني تشريح شده است. تكنولوژي Super flash و سلول حافظه از نظر طراحي داراي مزاياي مهمي هستند و سازنده EEPROM هاي Flash در زمان استفاده از ابزارهاي منطقي در مقايسه با گيت Stack (پشته) اكسيد يا تكنيك 2 ترانزيستوري از قابليت عملكرد و آزادي عمل بيشتري برخوردار است. علاوه بر آن اين تكنولوژي داراي مزيتهاي قيمت كمتر و قابليت اطمينان بيشتر است. اين تكنولوژي با استفاده از لايه هاي كمتر از پردازش ساده تري برخوردار است كه در مقايسه با انواع ديگر قابل مقايسه است. عمدتاً كاهش مراحل و هزينه هاي لايه گذاري، سبب كاهش قيمت نهايي محصول مي شود. حافظه گيت مجزا SST از نظر اندازه و حجم اشغال شده در مقايسه با انواع ترانزيستوري آن بسيار قابل توجه است، علاوه بر اينكه سهولت استفاده و قابليت اطمينان بالا نيز در آن بيشتر است. براساس طراحي، سلول حافظه مجزاي SST ، براي هر سلول حافظه مربوط به رديف بيت از overerase استفاده مي كند. اختلال در پاك كردن براي همه بايتهاي مربوط به يك صفحه يا صفحات ديگر ممكن است ايجاد شود، اين بدليل انجام فرآيند در ولتاژ بالا است. تزريق كننده (انژكتور) ايجاد تونل بازيابي ميداني: سلول EEPROM : اين تزريق كننده يك ترانزيستور سلول حافظه مجزا است كه براي ايجاد تونل Fowler-Nordheim بمنظور پاك كردن و يا تزريق الكترون در كانال سورس در برنامه ريزي حافظه استفاده مي شود. ايجاد تونل چند قطبي با استفاده از انژكتور (ترزيق كننده) ميداني در يك گيت شناور (معلق) با استفاده از اكسيداسيون استاندارد يا تكنيكهاي etching صورت مي گيرد. انژكتور كانال سفت Source (سورس) كه تزريق كننده الكترون است بسيار كارآمد و مؤثر است و با استفاده از يك چيپ (تراشه) بسيار كوچك با تغذيه 5 يا 3 ولت اين عمليات

قسمتی از محتوی متن پروژه میباشد که به صورت نمونه ، بعد از پرداخت آنلاین در جزوه باز آنی فایل را دانلود نمایید .

  

 « پرداخت آنلاین و دانلود در قسمت پایین »