فرمت فایل: ورد - Word  

کتاب سبز - قابل ویرایش ) 

تعداد صفحه : 20
پروژه شماره 2 عنوان پروژه : DRAM (گذشته ، امروز ، آينده) مقدمه : همانطوريكه مي دانيم امروزه بشر در عصر ارتباطات و تكنولوژي به حافظه براي تجهيزات مختلف نيازمند است . يكي از انواع حافظه ها DRAM يا Dynamic Random memory مي باشد كه اين DRAM ها مصارف مختلفي دارند از جمله در Computing ، infrastueture ، Entertainment و infocom و جاهاي ديگر صنعتي. براي ساخت DRAM در تكنولوژيهاي مختلفي استفاده شده است كه ما در اينجا از ساده ترين DRAM ها شروع مي كنيم كه از يك ترانزيستور و خازن و AMP استفاده شده است و به ساختار DRAM هاي 1k و 4k و 16k و ... مي پردازيم . و نهايتاً يكي از تكنولوژيهاي جديدي كه در ساخت DRAM ها بكار رفته است را شرح مي‌دهيم . اين تكنولوژي هاي ساخت DRAM با استفاده از SO1 (Silicon on islatnr) مي باشد . بنابراين بطوركلي اين روژه از 2 قسمت تشكيل شده است . قسمت اول آن مربوط به توضيح راجع به DRAM ها (از جهات مختلف) و مقايسه و كاربرد آنها و ... مي باشد و قسمت دوم پروژه مربوط به توضيح راجع به تكنولوژي SO1 و كاربرد آن در DRAM مي باشد . شرح پروژه : قسمت اول , ساختمان و خصوصيات DRAM : DRAM در واقع مخفف Dynamic Random Access Memory است كه حالت ساده آن به شكل زير است كه از يك ترانزيستور ساده و خازن و يك AMP تشكيل شده است . DRAM ها داراي خصوصياتي از جمله Read و Write هستند . اساس سلول DRAM از نظر Cross-Section و Layout در شكل زير مشخص است و عيب اين روش area مي باشد . علاوه بر اين ، 2 خصوصيت عمده از DRAM ها ذكر شده است كه عبارتند از : 1-Stacked cell(Expand up) : طبق شكل 2-Trench cell(Expand Down) : طبق شكل همانطوريكه گفته شد DRAM مي تواند عمل Read و Write را انجام دهد . براي عمل write

قسمتی از محتوی متن پروژه میباشد که به صورت نمونه ، بعد از پرداخت آنلاین در جزوه باز آنی فایل را دانلود نمایید .

  

 « پرداخت آنلاین و دانلود در قسمت پایین »